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题名:
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硅基半导体应变理论与生长动力学 / 戴显英等著 , |
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ISBN:
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978-7-5606-7503-9 价格： CNY47.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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189页 图 26cm |
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出版发行:
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出版地： 西安 出版社： 西安电子科技大学出版社 出版日期： 2025 |
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内容提要:
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本书分为9章, 主要内容包括硅基半导体应变理论与技术、硅基半导体应变能带理论与空间群、应变锗能带结构计算、硅基半导体应变弹塑性力学理论、临界带隙应变Ge1-xSnx合金能带特性与迁移率计算、硅基半导体应变材料的RPCVD计算流体动力学模拟研究、硅基半导体应变材料CVD生长机理与生长动力学模型、硅基半导体应变材料的缺陷形成机理与控制方法、硅基半导体应变材料的生长动力学与制备实验等。 |
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主题词:
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硅基材料 半导体物理学 |
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中图分类法:
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O47 版次： 5 |
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主要责任者:
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戴显英 著 |
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附注:
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国家自然科学基金资助 中央高校基本科研业务费专项资金资助 |