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题名:
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功率半导体器件原理及设计 / 王彩琳主编 , |
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ISBN:
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978-7-111-79351-9 价格： CNY69.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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318页 图 26cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2026 |
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内容提要:
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本书围绕功率半导体器件的基本结构与原理，从培养高层次专业技术人才、不断提高器件设计水平的目标出发，系统地介绍了各种功率半导体器件的结构类型、制作工艺、工作原理、静动态特性及设计方法。内容包括功率二极管(功率PIN二极管、功率SBD、MPS)、功率晶体管(功率双极型晶体管、功率MOSFET、IGBT)、普通晶闸管及其派生器件(GTO、IGCT、MCT)，并简单地介绍了功率半导体器件基础以及功率集成技术。 |
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主题词:
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功率半导体器件 高等学校 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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主要责任者:
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王彩琳 主编 |
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附注:
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新工科·普通高校电子信息·电气工程类教材 “十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目 CMP BOOKS |