|
题名:
|
高电子迁移率晶体管建模理论与实践 / 高建军著 , |
|
ISBN:
|
978-7-121-51749-5 价格: CNY128.00 |
|
语种:
|
chi |
|
载体形态:
|
xviii, 274页 图 25cm |
|
出版发行:
|
出版地: 北京 出版社: 电子工业出版社 出版日期: 2025 |
|
内容提要:
|
本书内容包括微波网络信号矩阵技术和微波网络噪声矩阵技术, 以及以此为基础的微波射频高电子迁移率晶体管建模和测试技术。微波射频场效应晶体管的小信号等效电路模型、大信号非线性等效电路模型和噪声等效电路模型, 以及等效电路模型的参数提取技术是本书的重点内容。 |
|
主题词:
|
高电子迁移率晶体管 研究 |
|
中图分类法:
|
TN32 版次: 5 |
|
主要责任者:
|
高建军, 著 |
|
附注:
|
工信学术出版基金 集成电路产业知识赋能工程 |
|
责任者附注:
|
高建军, 男, 1968年5月生。华东师范大学物理与电子科学学院教授, 博士生导师, 二级教授, “紫江学者”特聘教授。1991年和1999年分别获得清华大学学士和博士学位, 1994年获得电子工业部第十三研究所硕士学位。1999―2004年先后在中科院微电子研究所、新加坡南洋理工大学、德国柏林工业大学和加拿大卡尔顿大学从事博士后研究工作。2005年为东南大学教授和博士生导师, 同年入选教育部“新世纪优秀人才支持计划”以及江苏省中青年科技领军人才。2007年起为华东师范大学电磁场与微波技术学科带头人、“紫江学者”特聘教授和博士生导师。 |