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题名:
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NAND闪存技术 / (日) 有留诚一著 , 陈子琪译 |
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ISBN:
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978-7-111-77348-1 价格： CNY139.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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XVIII, 328页 图 (部分彩图) 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2025 |
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内容提要:
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本书讨论了基本和先进的NAND闪存技术，包括NAND闪存的原理、存储单元技术、多比特位单元技术、存储单元的微缩挑战、可靠性和作为未来技术的3D单元。第1章描述了NAND闪存的背景和早期历史。第2章描述了器件的基本结构和操作。接下来，第3章讨论了以微缩为重点的存储单元技术，并且第4章介绍了多电平存储单元的先进操作。第5章讨论了微缩的物理限制。第6章描述了NAND闪存的可靠性。第7章研究了3DNAND闪存单元，并讨论了结构、工艺、操作、可扩展性和性能方面的优缺点。第8章讨论了3DNAND闪存面临的挑战。最后，第9章总结并描述了未来NAND闪存的技术和市场前景。 |
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主题词:
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半导体存贮器 |
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中图分类法:
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TP333.5 版次： 5 |
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主要责任者:
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有留诚一 著 |
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次要责任者:
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陈子琪 译 |
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附注:
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CMP BOOKS |