题名:
图解高可靠性SiC功率半导体器件与封装技术   / (日) 岩室宪幸著 , 朱光耀等译
ISBN:
978-7-111-79099-0 价格： CNY69.00
语种:
chi
载体形态:
153页 图 21cm
出版发行:
出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2025
内容提要:
本书共有5章，首先讲解了包括功率半导体器件基础，如种类、结构、在电路中的作用等；接着阐述了硅功率半导体器件现状，重点聚焦SiC功率半导体器件，并深入探讨了SiC-MOSFET的结构、原理、应用、发展现状、面临的挑战及解决方法，详细论述了其耐受能力指标，如短路、关断等耐受能力，最后讲解了SiC-MOSFET封装技术。 
主题词:
功率半导体器件   封装工艺
中图分类法:
TN305.94 版次： 5
主要责任者:
岩室宪幸, 著
次要责任者:
朱光耀 译
附注:
机工通信 CMP BOOKS 
责任者附注:
岩室宪幸(1962-)，岩室宪幸教授在功率半导体领域建树颇丰。1984年，从早稻田大学理工系电气专业毕业后，便就职于富士电机株式会社。