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题名:
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硅基氮化镓外延材料与芯片 / 李国强著 , |
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ISBN:
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978-7-03-080958-2 价格： CNY158.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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xi, 263页 图 (部分彩图) 25cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 科学出版社 出版日期： 2025 |
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内容提要:
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本书共8章。其中，第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义，着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料的外延生长机理出发，依次介绍了GaN薄膜、零维GaN量子点、一维GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3～7章依次介绍了Si基GaNLED材料与芯片、Si基GaN高电子迁移率晶体管、Si基GaN肖特基二极管、Si基GaN光电探测芯片和Si基GaN光电解水芯片的工作原理、技术瓶颈、制备工艺以及芯片性能调控技术，并介绍了上述各种Si基GaN芯片的应用与发展趋势。第8章对Si基GaN集成芯片技术进行了阐述。 |
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主题词:
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硅基材料 氮化镓 |
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中图分类法:
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TN304.2 版次： 5 |
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中图分类法:
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TN43 版次： 5 |
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主要责任者:
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李国强 著 |