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题名:
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氮化镓与碳化硅功率器件 / (意) 毛里齐奥·迪保罗·埃米利奥著 , 邓二平, 吴立信, 丁立健译 |
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ISBN:
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978-7-122-47754-5 价格： CNY99.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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195页 图 26cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 化学工业出版社 出版日期： 2025 |
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内容提要:
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本书内容以实用性为出发点，阐释了氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件，从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面深入分析，介绍了仿真手段和各种典型应用，最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。 |
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主题词:
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氮化镓 功率半导体器件 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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主要责任者:
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埃米利奥 著 |
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次要责任者:
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邓二平 译 |
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次要责任者:
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吴立信 译 |
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次要责任者:
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丁立健 译 |
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责任者附注:
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Maurizio Di Paolo Emilio，物理学博士，电信工程师，担任《电力电子新闻》(Power Electronics News)、EEWeb主编，同时也是《电子工程专辑》(EE Times) 的记者。 |
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责任者附注:
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邓二平，工学博士，合肥工业大学教授，安徽省海外高层次人才，中国能源学会专家委员。主要研究方向为功率器件的封装、热设计管理、可靠性评估技术、失效机理、在线状态监测和寿命评估等。 |