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题名:
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碳化硅功率器件 / 高远, 张岩编著 , |
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ISBN:
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978-7-111-77893-6 价格： CNY149.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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536页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2025 |
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内容提要:
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本书综合了近几年工业界的最新进展和学术界的最新研究成果, 详细介绍并讨论了碳化硅功率器件的基本原理、发展现状与趋势、特性及测试方法、应用技术和各应用领域的方案。本书共分为12章, 内容涵盖功率半导体器件基础, SiC二极管的主要特性, SiCMOSFET参数的解读、测试及应用, SiC器件与Si器件特性对比, 双脉冲测试技术, SiC器件测试和失效分析技术, 高di/dt影响与应对--关断电压过冲, 高dv/dt的影响与应对--串扰, 高dv/dt影响与应对--共模电流, 共源极电感影响与应对, 驱动电路, SiC器件的主要应用。 |
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主题词:
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功率半导体器件 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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其它题名:
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特性、测试和应用技术 |
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主要责任者:
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高远 编著 |
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主要责任者:
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张岩 编著 |
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版次:
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2版 |