|
题名:
|
晶圆级应变SOI技术 / 戴显英, 苗东铭, 荊熠博著 , |
|
ISBN:
|
978-7-5606-7406-3 价格： CNY37.00 |
|
语种:
|
chi |
|
载体形态:
|
150页 图 26cm |
|
出版发行:
|
出版地： 西安 出版社： 西安电子科技大学出版社 出版日期： 2024 |
|
内容提要:
|
本书共分7章, 主要介绍SOI晶圆制备技术、SOI晶圆材料力学特性与结构特性、机械致晶圆级单轴应变SOI技术、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI技术及其相关效应、高应力氮化硅薄膜致应变SOI晶圆制备、晶圆级应变SOI应变模型、晶圆级应变SOI应力分布的有限元计算。 |
|
主题词:
|
集成电路工艺 |
|
中图分类法:
|
TN405 版次： 5 |
|
主要责任者:
|
戴显英 著 |
|
主要责任者:
|
苗东铭 著 |
|
主要责任者:
|
荊熠博 著 |
|
附注:
|
国家自然科学基金项目资助 |