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题名:
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压电电子学与压电光电子学 / 王中林, 张岩, 胡卫国著 , |
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ISBN:
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978-7-03-080989-6 价格： CNY268.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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xi, 473页 彩图 27cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 科学出版社 出版日期： 2025 |
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内容提要:
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王中林研究组分别在2007年和2010年引入创立了压电电子学和压电光电子学的基本概念。当具有非中心对称性的纤锌矿结构材料（如氧化锌、氮化镓和氮化铟等）受到外加应力时, 由于晶体中离子的极化而在材料内产生压电电势（亦称压电势）。由于同时具有压电和半导体特性, 所以晶体中产生的压电势可显著影响界面/结处的载流子传输。压电电子学器件是利用压电势作为“门”电压调节/控制接触处或结区载流子传输过程的电子器件。压电光电子学器件则利用了压电势来控制载流子的产生、分离、传输和/或复合过程, 从而提高诸如光电探测器、太阳能电池和发光二极管等光电器件的性能。压电电子学和压电光电子学器件提供的功能是对传统硅基互补金属-氧化物-半导体（CMOS）技术的补充。压电电子学和压电光电子学器件与硅基技术的有效集成可望在人机接口、纳米机器人的传感和驱动、智能化与个性化的电子签名、智能微纳机电系统、纳米机器人和能源科学等领域提供独特的应用。本书将介绍压电电子学和压电光电子学的基本理论、原理和器件。 |
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主题词:
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纳米技术 应用 |
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主题词:
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纳米技术 应用 |
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中图分类法:
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TN01 版次： 5 |
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中图分类法:
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TN201 版次： 5 |
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主要责任者:
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王中林 著 |
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主要责任者:
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张岩 著 |
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主要责任者:
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胡卫国 著 |
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版次:
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2版 |