|
题名:
|
半导体工艺可靠性 / 甘正浩, (美) 黄威森, 刘俊杰著 , 杨兵译 |
|
ISBN:
|
978-7-111-76494-6 价格： CNY199.00 |
|
语种:
|
chi |
|
载体形态:
|
xi, 488页 图 24cm |
|
出版发行:
|
出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2024.10 |
|
内容提要:
|
本书分为12章, 包括基本器件物理学、MOS制造工艺流程、用于器件可靠性表征的测量、热载流子注入、栅极氧化层完整性 (GOI) 和随时间变化的介质击穿 (TDDB)、负偏置温度不稳定性、等离子体诱导的损伤、集成电路的静电放电保护、电迁移、应力迁移和金属间介质击穿。书中除了对工艺可靠性问题进行了理论的描述和分析外, 同时还给出了相应测试的实际例子。 |
|
主题词:
|
半导体工艺 可靠性 |
|
中图分类法:
|
TN305 版次： 5 |
|
主要责任者:
|
甘正浩 著 |
|
主要责任者:
|
黄威森 著 |
|
主要责任者:
|
刘俊杰 著 |
|
次要责任者:
|
杨兵 译 |