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题名:
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宽禁带功率半导体器件可靠性 / 孙伟锋 ... [等] 著 , |
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ISBN:
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978-7-5766-0153-4 价格： CNY58.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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208页 图 26cm |
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出版发行:
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出版地： 南京 出版社： 东南大学出版社 出版日期： 2024.9 |
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内容提要:
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本书详细介绍了碳化硅、氮化镓功率器件在各类雪崩、短路、高温偏置等恶劣电热应力下的损伤机理, 并讲述了相关表征方法及寿命模型, 同时讨论了高可靠宽禁带器件新结构, 对宽禁带功率器件相关技术人员及学者具有较强的指导意义。 |
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主题词:
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禁带 半导体器件 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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主要责任者:
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孙伟锋 著 |
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主要责任者:
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刘斯扬 著 |
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主要责任者:
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魏家行 著 |
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附注:
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江苏省“十四五”时期重点出版物出版专项规划项目 |