题名:
半导体存储与系统   / (意) 安德烈·雷达利, 法比奥·佩利泽等著 , 霍宗亮 ... [等] 译
ISBN:
978-7-111-77736-6 价格： CNY129.00
语种:
chi
载体形态:
xii, 279页 图 (部分彩图) 24cm
出版发行:
出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2025.4
内容提要:
本书提供了在各个工艺及系统层次的半导体存储器现状的全面概述。在介绍了市场趋势和存储应用之后, 本书重点介绍了各种主流技术, 详述了它们的现状、挑战和机遇, 并特别关注了可微缩途径。这些述及的技术包括静态随机存取存储器 (SRAM)、动态随机存取存储器 (DRAM)、非易失性存储器 (NVM) 和NAND闪存。本书还提及了嵌入式存储器以及储存类内存(SCM)的各项必备条件和系统级需求。每一章都涵盖了物理运行机制、制造技术和可微缩性的主要挑战因素。最后, 本书回顾了SCM的新兴趋势, 主要关注基于相变的存储技术的优势和机遇。 
主题词:
半导体器件  
中图分类法:
TN303 版次： 5
主要责任者:
雷达利 著
主要责任者:
佩利泽 著
次要责任者:
霍宗亮 译
次要责任者:
王颀 译
责任者附注:
安德烈·雷达利 (Andrea Redaelli), 分别于2003年和2007年在意大利米兰理工大学获得电子工程硕士学位和博士学位。法比奥·佩利泽 (Fabio Pellizzer), 于1996年在意大利帕多瓦大学获得电子工程硕士学位, 毕业论文课题是薄栅氧化物的表征和可靠性。霍宗亮, 研究员, 具有二十余年存储技术研发经验, 在架构、集成、机理、可靠性和芯片设计等方面形成特色。王颀, 研究员, 现在中国科学院微电子研究所工作, 具有二十年以上存储技术研发经验, 发表论文三十余篇, 申请专利五十余项, 科研领域涉及存储器电路、存储系统和可靠性算法等。胡伟, 复旦微电子毕业, 现在北京大学集成电路学院从事客座研究, 专注于先进存储与智能计算领域。