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题名:
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碳化硅功率模块设计 / (日) 阿尔贝托·卡斯特拉齐, (意) 安德里亚·伊拉斯等著 , 曾正 ... [等] 译 |
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ISBN:
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978-7-111-76654-4 价格： CNY119.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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247页 图 (部分彩图) 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2024.12 |
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内容提要:
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本书详细介绍了多芯片SiC MOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案, 主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。本书所有章节均旨在提供关于多芯片SiC MOSFET功率模块定制开发相关的系统性指导, 兼具理论价值和实际应用价值。 |
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主题词:
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功率半导体器件 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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其它题名:
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先进性、鲁棒性和可靠性 |
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主要责任者:
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卡斯特拉齐 著 |
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主要责任者:
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伊拉斯 著 |
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次要责任者:
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曾正 译 |
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次要责任者:
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孙鹏 译 |
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责任者附注:
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阿尔贝托·卡斯特拉齐, (Alberto Castellazzi), 是日本京都先端科学大学的教授, 他的研究集中在先进固态功率处理技术, 包括宽禁带半导体器件的表征和应用。安德里亚·伊拉斯 (Andrea Irace), 是意大利那不勒斯费德里科二世大学的电子学教授, 他的研究集中在宽禁带电力电子器件的建模和仿真。 |