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题名:
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碳化硅器件工艺核心技术 / (希) 康斯坦丁·泽肯特斯, (英) 康斯坦丁·瓦西列夫斯基等著 , 贾护军, 段宝兴, 单光宝译 |
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ISBN:
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978-7-111-74188-6 价格： CNY189.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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XVI, 411页, [4] 页图版 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2024 |
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内容提要:
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本书共9章, 以碳化硅 (SiC) 器件工艺为核心, 重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术, 以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等, 每一部分都涵盖了上百篇相关文献, 以反映这些方面的最新成果和发展趋势。 |
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主题词:
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功率半导体器件 研究 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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主要责任者:
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泽肯特斯 著 |
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主要责任者:
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瓦西列夫斯基 著 |
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次要责任者:
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贾护军 译 |
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次要责任者:
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段宝兴 译 |
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次要责任者:
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单光宝 译 |
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附注:
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机工电子 |
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责任者附注:
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Konstantinos Zekentes, 希腊研究与技术基金会 (FORTH) 微电子研究小组 (MRG) 高级研究员, Konstantin Vasilevskiy, 英国纽卡斯尔大学工程学院高级研究员。他目前的研究领域是宽禁带半导体技术, 以及石墨烯生长和表征技术。贾护军, 西安电子科技大学教授、博士生导师, 长期从事新型半导体材料与器件方面的教学和科研工作, 发表相关论文七十余篇, 授权发明专利二十余项, 出版专著三部。段宝兴, 西安电子科技大学教授、博士生导师, 从事新型功率半导体器件设计及集成技术研究, 发表相关论文八十余篇, 授权发明专利五十余项, 出版专著三部。单光宝, 西安电子科技大学教授、博士生导师, 中国惯性技术协会常务理事, 国家部委重点项目首席科学家, 长期从事集成电路与微系统教学和科研工作, 发表相关论文五十余篇, 授权发明专利二十余项, 出版专著一部、译著一部。 |