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题名:
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CMOS模拟集成电路设计 / (美) Phillip E. Allen, (美) Douglas R. Holberg著 , 冯军, 李智群译 |
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ISBN:
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978-7-121-45212-3 价格： CNY129.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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451页 图 26cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 电子工业出版社 出版日期： 2023 |
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内容提要:
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本书是模拟集成电路设计课程的一本经典教材, 作者从CMOS技术的前沿出发, 结合丰富的工程和教学经验, 对CMOS模拟电路设计的原理和技术及容易忽略的问题给出了详尽论述, 阐述了分层设计的方法。全书共分十章, 主要介绍了模拟集成电路设计的背景知识, CMOS技术, 器件模型及主要模拟电路的原理和设计, 包括CMOS基本单元电路 (MOS开关、MOS二极管、有源电阻, 电流漏、电流源、电流镜、带隙基准源、基准电流源和电压源等), 放大器, 运算放大器, 比较器, 开关电容电路, D/A和A/D转换电路。 |
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主题词:
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CMOS电路 模拟集成电路 |
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中图分类法:
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TN431.1 版次： 5 |
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主要责任者:
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艾伦 著 |
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主要责任者:
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霍尔伯格 著 |
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次要责任者:
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冯军 译 |
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次要责任者:
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李智群 译 |
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版次:
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第3版 |
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责任者附注:
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责任者Allen规范汉译姓: 艾伦; 责任者Holberg规范汉译姓: 霍尔伯格 |