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题名:
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半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法 / 李兴冀等编著 , |
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ISBN:
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978-7-5767-0544-7 价格： CNY128.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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401页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 哈尔滨 出版社： 哈尔滨工业大学出版社 出版日期： 2023 |
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内容提要:
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本书共分为4章：第1章为半导体物理基础，介绍缺陷相关理论；第2章介绍半导体材料器件与原始缺陷；第3章在辐射物理基础上，介绍了辐射诱导缺陷形成与演化、缺陷性质等模拟仿真方法及应用；第4章介绍半导体材料与器件缺陷表征与分析的常用方法。 |
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主题词:
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半导体材料 研究 |
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主题词:
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半导体器件 研究 |
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中图分类法:
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TN304 版次： 5 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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主要责任者:
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李兴冀 编著 |
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附注:
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国家出版基金项目 国家出版基金资助项目 |
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附注:
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材料与器件辐射效应及加固技术研究著作 |