题名:
模拟CMOS集成电路设计   / (美) 毕查德·拉扎维著 , 陈贵灿 ... [等] 译
ISBN:
978-7-5693-0992-8 价格: CNY138.00
语种:
chi
载体形态:
10, 724页 图 28cm
出版发行:
出版地: 西安 出版社: 西安交通大学出版社 出版日期: 2018
内容提要:
本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材,介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计,讲解该技术的最新进展和设计实例,从MOSFET器件的基本物理特性开始,逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。 
主题词:
模拟集成电路   CMOS电路
中图分类法:
TN431.102 版次: 5
中图分类法:
TN432.02 版次: 5
主要责任者:
拉扎维
次要责任者:
陈贵灿
次要责任者:
程军
次要责任者:
张瑞智
次要责任者:
张鸿
版次:
第2版
附注:
国防科技大学内部教材 电子科学学院