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题名:
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模拟CMOS集成电路设计 / (美) 毕查德·拉扎维著 , 陈贵灿 ... [等] 译 |
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ISBN:
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978-7-5693-0992-8 价格： CNY138.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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10, 724页 图 28cm |
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出版发行:
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出版地： 西安 出版社： 西安交通大学出版社 出版日期： 2018 |
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内容提要:
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本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，讲解该技术的最新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。 |
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主题词:
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模拟集成电路 CMOS电路 |
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中图分类法:
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TN431.102 版次： 5 |
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中图分类法:
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TN432.02 版次： 5 |
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主要责任者:
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拉扎维 著 |
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次要责任者:
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陈贵灿 译 |
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次要责任者:
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程军 译 |
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次要责任者:
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张瑞智 译 |
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次要责任者:
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张鸿 译 |
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版次:
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第2版 |
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附注:
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国防科技大学内部教材 电子科学学院 |