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题名:
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集成电路器件抗辐射加固设计技术 / 闫爱斌[等]著 , |
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ISBN:
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978-7-03-074714-3 价格： CNY129.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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214页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 科学出版社 出版日期： 2023 |
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内容提要:
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本书从集成电路器件可靠性问题出发,具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识,介绍了抗辐射加固设计(RHBD)技术以及在该技术中常用的相关组件,针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器(SRAM)单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术,描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。 |
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主题词:
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集成电路 电子器件 |
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中图分类法:
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TN402 版次： 5 |
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主要责任者:
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闫爱斌 著 |