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题名:
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多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用 / 贺朝会 ... [等] 著 , |
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ISBN:
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978-7-03-076469-0 价格： CNY150.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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198页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 科学出版社 出版日期： 2023 |
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内容提要:
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本书系统介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等，模拟尺寸从原子尺度的10-10m到百纳米，时间从亚皮秒量级到106s，并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用，揭示了典型半导体材料的位移损伤机理和规律，在核技术和辐射物理学科的发展、位移损伤效应研究、人才培养等方面具有重要的学术意义和应用价值。 |
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主题词:
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半导体材料 损伤 |
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中图分类法:
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TN304 版次： 5 |
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主要责任者:
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贺朝会 著 |
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主要责任者:
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唐杜 著 |
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主要责任者:
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臧航 著 |