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题名:
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宽禁带半导体氧化镓 / 陶绪堂 ... [等] 编著 , |
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ISBN:
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978-7-5606-6444-6 价格： CNY128.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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316页, [4] 页图版 图 (部分彩图) 25cm |
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出版发行:
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出版地： 西安 出版社： 西安电子科技大学出版社 出版日期： 2022 |
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内容提要:
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氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电探测、高亮度LED等方面都具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍。重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、纳米结构及薄膜外延方面的研究成果。系统阐述了获得高质量体块单晶、纳米结构材料及薄膜的思路和方法，并对氧化镓材料的发展进行了综述和展望。 |
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主题词:
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禁带 氧化镓 |
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中图分类法:
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TN304.2 版次： 5 |
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其它题名:
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结构、制备与性能 |
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主要责任者:
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陶绪堂 编著 |
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主要责任者:
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穆文祥 编著 |
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主要责任者:
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贾志泰 编著 |
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附注:
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国家出版基金项目 |