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题名:
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氮化物半导体太赫兹器件 / 冯志红编著 , |
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ISBN:
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978-7-5606-6312-8 价格： CNY128.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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307页, [4] 页图版 图 (部分彩图) 25cm |
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出版发行:
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出版地： 西安 出版社： 西安电子科技大学出版社 出版日期： 2022 |
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内容提要:
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随着太赫兹技术的发展，传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升，导致现有的太赫兹源输出功率低，不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点，在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展，包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、倍频器、功率放大器、直接调制器和高灵敏探测器等，涉及器件的基本工作原理、设计方法、工艺方法、测试方法和应用等。 |
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主题词:
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电磁辐射 应用 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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主要责任者:
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冯志红 编著 |
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附注:
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国家出版基金项目 |