题名:
电子器件的电离辐射效应   / (意) Marta Bagatin, Simone Gerardin , 毕津顺, 于庆奎, 丁李利, 李博译
ISBN:
978-7-121-44206-3 价格： CNY119.00
语种:
chi
载体形态:
20, 299页 图 26cm
出版发行:
出版地： 北京 出版社： 电子工业出版社 出版日期： 2022
内容提要:
本书完整地涵盖了先进半导体的电离辐射效应, 深入探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容: 商用数字集成电路的辐射效应, 包括微处理器、易失性存储器 (SRAM和DRAM) 和快闪存储器; 数字电路、现场可编程门阵列 (FPGA) 和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案; 纤维光学和成像器件 (包括CMOS图像传感器和电荷耦合器件CCD) 的辐射效应。 
主题词:
电子器件   电离辐射
中图分类法:
TN6 版次： 5
其它题名:
从存储器到图像传感器
主要责任者:
巴吉安 主编
主要责任者:
杰拉尔丁 主编
次要责任者:
毕津顺 译
次要责任者:
于庆奎 译
责任者附注:
责任者Bagatin规范汉译姓: 巴吉安; 责任者Gerardin规范汉译姓: 杰拉尔丁 
责任者附注:
Marta Bagatin, 毕业于意大利帕多瓦大学, 2006年获得电子工程专业学士学位, 2010年获得信息科学与技术专业博士学位。Simone Gerardin, 毕业于意大利帕多瓦大学, 2003年获得电子工程专业学士学位, 2007年获得电子和电信工程专业博士学位。毕津顺, 博士生导师, 贵州师范大学教授, 中国科学院微电子研究所特聘研究员。于庆奎, 中国空间技术研究院研究员。