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题名:
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垂直型GaN和SiC功率器件 / (日) 望月和浩著 , 黄锋 ... [等] 译 |
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ISBN:
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978-7-111-70502-4 价格： CNY99.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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XII, 217页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2022 |
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内容提要:
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本书主要介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术，内容涵盖垂直型和横向功率半导体器件的比较，GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺，主要器件结构与特性，以及垂直型GaN和SiC器件的可靠性研究等。 |
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主题词:
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功率半导体器件 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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主要责任者:
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望月和浩 著 |
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次要责任者:
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黄锋 译 |
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次要责任者:
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段宝兴 译 |
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次要责任者:
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柏松 译 |
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附注:
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机工电子 |