题名:
纳米集成电路FinFET器件物理与模型   / (美) 萨马·K. 萨哈著 , 丁扣宝译
ISBN:
978-7-111-69481-6 价格： CNY119.00
语种:
chi
载体形态:
xiii, 238页 图 24cm
出版发行:
出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2022
内容提要:
本书主要内容有: 主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述; 基本半导体电子学和pn结工作原理; 多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理; 非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术; FinFET基本理论; FinFET小尺寸效应; FinFET泄漏电流; FinFET寄生电阻和寄生电容; FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战; FinFET器件紧凑模型。 
主题词:
纳米材料   集成电路工艺
中图分类法:
TN405 版次： 5
主要责任者:
萨哈 著
次要责任者:
丁扣宝 译
责任者附注:
Samar K. Saha, 是Prospicient Devices首席研究科学家, 也是美国加利福尼亚州圣塔克拉拉大学电气工程系的兼职教授。