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题名:
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碳化硅功率器件 / 高远, 陈桥梁编著 , |
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ISBN:
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978-7-111-68175-5 价格： CNY99.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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XIV, 311页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2021 |
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内容提要:
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本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术, 概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节, 分别为功率半导体器件的基础, SiC MOSFET参数解读、测试及应用, 双脉冲测试, SiC与Si器件特性对比, 高di/dt影响与应对 —— 关断电压尖峰, 高dv/dt影响与应对 —— crosstalk, 共模电流的影响与应对, 共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。 |
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主题词:
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功率半导体器件 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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其它题名:
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特性、测试和应用技术 |
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主要责任者:
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高远 编著 |
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主要责任者:
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陈桥梁 编著 |