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题名:
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改性锗半导体物理 / 宋建军, 冒剑军, 薛笑欢编著 , |
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ISBN:
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978-7-5606-5951-0 价格： CNY20.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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106页 图 26cm |
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出版发行:
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出版地： 西安 出版社： 西安电子科技大学出版社 出版日期： 2020 |
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内容提要:
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本书主要面向微电子学与固体电子学专业, 讲解介绍改性Ge半导体物理相关内容, 不仅可拓展相关读者的知识面, 更可为读者从事相关研究提供重要技术参考。本书共7章, 包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗mMOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习, 可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。 |
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主题词:
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锗 改性 |
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中图分类法:
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TN304.1 版次： 5 |
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主要责任者:
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宋建军 编著 |
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主要责任者:
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冒剑军 编著 |
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主要责任者:
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薛笑欢 编著 |
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附注:
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西安电子科技大学研究生精品教材建设项目 |