题名:
宽禁带半导体电子材料与器件   / 沈波, 唐宁编著 ,
ISBN:
978-7-03-067440-1 价格： CNY150.00
语种:
chi
载体形态:
xi, 316页 图 24cm
出版发行:
出版地： 北京 出版社： 科学出版社 出版日期： 2021
内容提要:
本书系统介绍了II族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O, 四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件, 从晶体结构、能带结构、衬底材料外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。 
主题词:
禁带   半导体材料
主题词:
禁带   半导体器件
中图分类法:
TN304.2 版次： 5
主要责任者:
沈波 编著
主要责任者:
唐宁 编著
责任者附注:
沈波, 江苏扬州人, 长江学者、杰青、基金委创新群体带头人、973计划项目首席科学家、863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、“战略性先进电子材料”重点研发计划总体专家组成员。唐宁, 北京大学长聘副教授, 博雅青年学者。2002年在南京大学获学士学位, 2007年在北京大学获博士学位。主要从事宽禁带半导体材料物理和器件研究, 迄今发表学术论文100多篇。