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题名:
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短沟道MOSFET的高频噪声机理分析与表征 / 王军著 , |
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ISBN:
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978-7-03-066300-9 价格： CNY88.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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149页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 科学出版社 出版日期： 2020.10 |
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内容提要:
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本书以不同研究阶段采用的不同方法为脉络, 从新型器件研发初始阶段的仿真模拟, 递进到基于物理的理论数学模型推导和基于样片测量的实验研究与半经验模型表征, 揭示了短沟道器件与长沟道器件高频热噪声机理完全不同的偏置不守恒特性和频率依赖性。最后, 介绍了人工智能技术在器件噪声建模中的应用。 |
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主题词:
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微电子技术 电子器件 |
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中图分类法:
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TN4 版次： 5 |
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主要责任者:
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王军 著 |