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题名:
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功率半导体器件 / (德) 约瑟夫·卢茨 ... [等] 著 , 卞抗 ... [等] 译 |
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ISBN:
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978-7-111-64029-5 价格： CNY150.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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XVIII, 554页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2020 |
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内容提要:
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本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术, 器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件, 包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外, 还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说, 在同类专业书籍中是不多见的。本书内容新颖, 紧跟时代发展, 除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外, 还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件, 颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的最新成果, 如SiC、GaN器件, 场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书, 相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。 |
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主题词:
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功率半导体器件 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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其它题名:
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原理、特性和可靠性 |
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主要责任者:
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卢茨 著 |
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主要责任者:
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施兰格诺托 著 |
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主要责任者:
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朔伊尔曼 著 |
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主要责任者:
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当克尔 著 |
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次要责任者:
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卞抗 译 |