题名:
Studies on plasma assisted molecular beam epitaxial growth of GaN-Based multilayer heterostructures on Si for photodetector application   / 郑益著 ,
ISBN:
978-7-5684-1424-1 价格： CNY38.00
语种:
eng
载体形态:
195页 图 22cm
出版发行:
出版地： 镇江 出版社： 江苏大学出版社 出版日期： 2020
内容提要:
本书为英文图书, 研究了氮化铝缓冲层对氮化镓外延层表面形貌和晶体质量的影响, 讨论了氮化镓异质外延生长中镓扩散到硅衬底中并溶解形成镓—硅合金的途径, 最终经过优化得以实现利用等离子辅助分子束外延在硅 (111) 衬底上生长出无微晶的光滑氮化镓外延层。 
主题词:
硅基材料   氧化镓
中图分类法:
TN215 版次： 5
主要责任者:
郑益 著
责任者附注:
郑益, 本科毕业于吉林大学微电子系, 硕士、博士就读于新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院。