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题名:
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用于集成电路仿真和设计的FinFET建模 / (印) 尤盖希·辛格·楚罕 ... [等] 著 , 陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译 |
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ISBN:
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978-7-111-65981-5 价格： CNY99.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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239页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2020 |
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内容提要:
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本书从三维结构的原理、物理效应入手, 详细讨论了FinFET紧凑模型 (BSIM-CMG) 产生的背景、原理、参数以及实现方法; 同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。 |
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主题词:
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集成电路 电路设计 |
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中图分类法:
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TN402 版次： 5 |
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中图分类法:
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TN402 版次： 5 |
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其它题名:
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基于BSIM-CMG标准 |
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主要责任者:
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楚罕 著 |
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主要责任者:
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卢 著 |
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主要责任者:
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维努戈帕兰 著 |
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次要责任者:
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陈铖颍 译 |
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次要责任者:
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张宏怡 译 |
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次要责任者:
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荆有波 译 |