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题名:
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应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术 / 郝敏如著 , |
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ISBN:
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978-7-5114-5793-6 价格： CNY68.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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192页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 中国石化出版社 出版日期： 2020 |
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内容提要:
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本书首先阐述应变Si技术的优势, 研究应变对能带结构的改变及器件电学特性的增强机制, 详细分析了γ射线总剂量辐照损伤效应对MOS器件的影响机理 ; 其次, 建立应变Si纳米MOS器件阈值电压、跨导等与总剂量辐照以及器件几何、物理参数之间的关系, 及栅隧穿及热载流子栅电流模型 ; 最后, 研究纳米Si NMOS器件单粒子瞬态效应的相关研究, 并提出抗辐照加固的应变Si纳米MOS器件新型器件结构。 |
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主题词:
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应变 硅 |
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主题词:
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应变 硅 |
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中图分类法:
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TN4 版次： 5 |
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主要责任者:
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郝敏如 著 |
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索书号:
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3 |