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题名:
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硅基锗材料生长与器件构筑 / 陈城钊著 , |
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ISBN:
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978-7-5661-2648-1 价格： CNY46.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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99页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 哈尔滨 出版社： 哈尔滨工程大学出版社 出版日期： 2020 |
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内容提要:
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本书分为三个部分, 首先介绍了硅基锗材料生长及器件的基础知识, 接着阐述了采用低温缓冲层技术外延生长硅基锗材料, 锗的原位硼 (B) 和磷 (P) 掺杂, 最后是硅基锗PN结和PIN结构的基本物理特性, 并给出相关特性的定性与定量分析。 |
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主题词:
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锗 硅基材料 |
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中图分类法:
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TN304.2 版次： 5 |
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中图分类法:
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TN36 版次： 5 |
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主要责任者:
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陈城钊 著 |
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索书号:
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3 |