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题名:
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晶体生长中输运现象及晶体缺陷 / 方海生, 刘胜著 , |
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ISBN:
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978-7-03-061162-8 价格： CNY168.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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351页 图 25cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 科学出版社 出版日期： 2019 |
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内容提要:
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本书是作者在十多年来从事晶体生长和工程热物理交叉领域研究的基础上编写的。本书首先阐述晶体生长的基本原理和输运现象，并介绍计算流体力学方法；其次着重讨论薄膜制备中传热和传质现象，包括薄膜制备系统的复杂化学反应机理，并介绍与传热和传质相关的晶体缺陷；然后，以多晶硅、蓝宝石、氮化镓等应用广泛的晶体为例，详细讨论块状晶体、薄膜晶体制备过程的研究方法和优化策略；最后，本书进一步讨论从分子动力学角度理解开裂、位错等晶体缺陷形成的机理，以及采用第一性原理辅助的分子动力学方法预测热物性参数的理论。 |
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主题词:
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晶体生长 输运过程 |
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主题词:
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晶体缺陷 |
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中图分类法:
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O78 版次： 5 |
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中图分类法:
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O77 版次： 5 |
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主要责任者:
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方海生 著 |
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主要责任者:
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刘胜 著 |
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索书号:
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3 |
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索书号:
|
3 |