题名:
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硅通孔与三维集成电路 / 朱樟明, 杨银堂著 , |
ISBN:
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978-7-03-047164-2 价格: CNY68.00 |
语种:
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chi |
载体形态:
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234页 图 24cm |
出版发行:
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出版地: 北京 出版社: 科学出版社 出版日期: 2016 |
内容提要:
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本书系统讨论了基于硅通孔的三维集成电路设计所涉及的一些关键科学问题,包括硅通孔寄生参数提取、硅通孔电磁模型、新型硅通孔结构、三维集成互连线、三维集成电路热管理、硅通孔微波/毫米波特性、碳纳米硅通孔及集成互连线等,对想深入了解硅通孔和三维集成电路的工程人员和科研人员具有很强的指导意义和实用性。本书所提出的硅通孔结构、硅通孔解析模型、硅通孔电磁模型、三维集成电路热管理、三维集成互连线建模和设计等关键技术,已经在IEEE TED、IEEE MWCL等国外著名期刊上发表,可以直接供读者参考。 |
主题词:
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集成电路 封装工艺 |
中图分类法:
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TN405 版次: 5 |
主要责任者:
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朱樟明 著 |
主要责任者:
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杨银堂 著 |
索书号:
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