|
题名:
|
硅基应变半导体物理 / 宋建军, 杨雯, 赵新燕著 , |
|
ISBN:
|
978-7-5606-5294-8 价格： CNY23.00 |
|
语种:
|
chi |
|
载体形态:
|
132页 图 26cm |
|
出版发行:
|
出版地： 西安 出版社： 西安电子科技大学出版社 出版日期： 2019 |
|
内容提要:
|
本书共6章, 主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容, 重点讨论了如何建立硅基应变材料能带结构与载流子迁移率模型, 并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。通过本书的学习, 可为读者以后学习应变器件物理奠定重要的理论基础。 |
|
主题词:
|
硅基材料 半导体物理学 |
|
中图分类法:
|
O47 版次： 5 |
|
主要责任者:
|
宋建军 著 |
|
主要责任者:
|
杨雯 著 |
|
主要责任者:
|
赵新燕 著 |
|
附注:
|
西安电子科技大学研究生精品教材建设项目 |
|
索书号:
|
3 |
|
索书号:
|
3 |