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题名:
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集成功率器件设计及TCAD仿真 / (加) 付越 ... [等] 著 , 杨兵译 |
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ISBN:
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978-7-111-59273-0 价格： CNY125.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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xiii, 321页, [8] 页图版 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2018 |
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内容提要:
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本书从电力电子到功率集成电路（PIC）、智能功率技术、器件等方面给电源管理和半导体产业提供了一个完整的描述。本书不仅介绍了集成功率半导体器件，如横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）、横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）和超结LDMOSFET的内部物理现象，还对电源管理系统进行了一个简单的介绍。本书运用计算机辅助设计技术（TCAD）仿真实例讲解集成功率半导体器件的设计，代替抽象的理论处理和令人生畏的方程，并且还探讨了下一代功率器件，如氮化镓高电子迁移率功率晶体管（GaN功率HEMT）。本书内容有助于填补功率器件工程和电源管理系统之间的空白。 |
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主题词:
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集成电路 功率半导体器件 |
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中图分类法:
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TN303-39 版次： 5 |
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主要责任者:
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付越 著 |
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主要责任者:
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李占明 著 |
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主要责任者:
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吴卫东 著 |
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主要责任者:
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辛 著 |
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次要责任者:
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杨兵 译 |
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索书号:
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3 |
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索书号:
|
3 |