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题名:
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材料结构与物性研究 / 孙霄霄, 张丹著 , |
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ISBN:
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978-7-5024-7695-3 价格： CNY36.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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137页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 冶金工业出版社 出版日期： 2018 |
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内容提要:
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本书采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对半导体材料Si、二元半导体化合物 (BiI3、Li3Bi、SbI3、AsI3) 和过渡金属化合物 (Mo2BC、Mo3Al2C) 在高压下的结构、力学和电子性质进行了系统的研究。全书共分10章, 第1章为绪论部分, 第2章是First-Principles (第一性原理) 计算的理论方法, 第3章是计算程序Materials Studio简介, 第4章介绍了半导体化合物BiI3的晶体结构、弹性性质、电子性质和高压下的结构相变, 第5章、第6章和第7章分别介绍了高压下Li3Bi、SbI3和AsI3的晶体结构、弹性性质和电子性质。第8章和第9章介绍了过渡金属化合物Mo2BC、Mo3Al2C的晶体结构、弹性性质和电子性质。第10章分析了单晶Si的晶体结构、弹性性质和电子性质。 |
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主题词:
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工程材料 结构性能 |
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中图分类法:
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TB303 版次： 5 |
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主要责任者:
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孙霄霄 著 |
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主要责任者:
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张丹 著 |
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附注:
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本书受到牡丹江师范学院学术专著出版基金资助 |
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索书号:
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3 |
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索书号:
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3 |