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题名:
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抗辐射集成电路设计理论与方法 / 高武著 , |
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ISBN:
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978-7-302-50529-7 价格： CNY139.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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308页, [8] 页图版 图 (部分彩图) 27cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 清华大学出版社 出版日期： 2018 |
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内容提要:
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本书首先介绍辐射环境、辐射相互作用物理过程及若干种辐射效应; 接下来, 本书详细介绍集成电路抗辐射加固设计方法学, 包括单粒子闩锁加固策略及测试、辐射加固器件的SPICE模型、抗辐射单元库设计、自动综合的抗辐射数字电路设计、模拟和混合信号电路加固设计等; 最后, 本书介绍集成电路辐射效应仿真、单粒子效应的脉冲激光测试原理和辐射加固保障测试。 |
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主题词:
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抗辐射性 集成电路 |
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中图分类法:
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TN402 版次： 5 |
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主要责任者:
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高武 著 |
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责任者附注:
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高武, 西北工业大学教授, 2011年获得法国斯特拉斯堡大学微电子学博士学位, 主要研究方向包括抗辐射集成电路设计、空间嵌入式系统设计等。 |
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索书号:
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3 |
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索书号:
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