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题名:
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绝缘体上硅（SOI）技术 / (法) Oleg Konchuck, (法) Bich-Yen Nguyen著 , 刘忠立，宁瑾，赵凯译 |
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ISBN:
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978-7-118-11636-6 价格： CNY128.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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xiii, 385页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 国防工业出版社 出版日期： 2018 |
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内容提要:
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本书分为两个部分；第一部分包括SOI材料及制造，第二部分包括SOI器件及应用。共14章，前几章介绍SOI晶片的制造技术，先进SOI材料的电学特性，以及短沟道SOI半导体晶体管的建模。涉及部分耗尽及全耗尽二种SOI技术。第6章和第7章关注的是无结及氧化物上鳍(fin)型场效应晶体管。还介绍了CMOS器件变化趋势和静电放电中的一些关键技术。第二部分涵盖最近的和已成熟的技术。它们包括射频应用的SOI晶体管，超低功耗应用的SOI CMOS电路，以及利用SOI的三维集成来提高器件性能的方法。最后，第13章和第14章考虑的是用于光电集成电路、微机电系统和纳机电传感器的SOI技术。 |
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主题词:
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绝缘体上硅薄膜 |
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中图分类法:
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TN304.9 版次： 5 |
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其它题名:
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制造及应用 |
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主要责任者:
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库侬楚克 著 |
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主要责任者:
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宁根 著 |
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次要责任者:
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刘忠立 译 |
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次要责任者:
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宁瑾 译 |
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次要责任者:
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赵凯 译 |
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附注:
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装备科技译著出版基金 |
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责任者附注:
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责任制汉译姓取自在版编目 |
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索书号:
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3 |
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索书号:
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3 |
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索书号:
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3 |
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索书号:
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3 |
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索书号:
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3 |
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索书号:
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3 |