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题名:
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CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固 / 刘必慰著 , |
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ISBN:
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978-7-5673-0411-6 价格： CNY36.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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222页 图 21cm |
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出版发行:
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出版地： 长沙 出版社： 国防科技大学出版社 出版日期： 2016 |
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内容提要:
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本书针对CMOS集成电路中主要的三种单粒子效应失效模式SEU、SET和MBU, 分别从建模和加固两个方面进行了研究, 包括RHBD和SOI工艺的加固方法、加固存储单元的多节点翻转的模拟分析、SET脉冲建模和SET错误率计算在内的多项内容。 |
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主题词:
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CMOS电路 模拟集成电路 |
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中图分类法:
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TN432 版次： 5 |
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主要责任者:
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刘必慰 著 |
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索书号:
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10 |