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题名:
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半导体激光器能带结构和光增益的量子理论 / 郭长志编著 , |
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ISBN:
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978-7-03-047380-6 价格： CNY168.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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482-880页 图 25cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 科学出版社 出版日期： 2016 |
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内容提要:
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本书讨论了达到设计所需精度的量子阱、量子线、和量子点的电子能带和能级的量子理论和设计计算, 带间和子带间光跃迁几率和光增益的半径典量子理论和设计, 应变效应及其对各维能带结构的影响、温度效应T0问题的物理机制, 特别是俄歇复合的量子理论及其克服方案和设计, 量子阱间耦合、载流子落入和逃逸时间的理论和设计。子带间量子级联激光器的理论和设计, 其真正优点和局限性。扼要介绍全量子理论的量子光学和自发发射等理论问题。 |
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主题词:
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半导体激光器 能带结构 |
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主题词:
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半导体激光器 激光 |
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中图分类法:
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TN248.4 版次： 5 |
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主要责任者:
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郭长志 编著 |
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索书号:
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3 |