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题名:
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过电应力 (EOS) 器件、电路与系统 / (美) 史蒂文 H. 沃尔德曼著 , 雷鑑铭等译 |
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ISBN:
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978-7-111-52318-5 价格： CNY79.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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xx, 286页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2016 |
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内容提要:
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本书系统地介绍了过电应力 (EOS) 器件、电路与系统设计, 并给出了大量实例, 将EOS理论工程化。主要内容有EOS基础、EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理及EOS失效机制, EOS电路与系统设计及EDA, 半导体器件、电路与系统中的EOS失效及EOS片上与系统设计。本书是作者半导体器件可靠性系列书籍的延续。对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师, 以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。随着纳米电子时代的到来, 本书是一本重要的参考书, 同时也是面向现代技术问题有益的启示。 |
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主题词:
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电子元件 过电流保护 |
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主题词:
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电子元件 过电压保护 |
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主题词:
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电子器件 过电流保护 |
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主题词:
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电子器件 过电压保护 |
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中图分类法:
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TN60 版次： 5 |
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主要责任者:
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沃尔德曼 著 |
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次要责任者:
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雷鑑铭 译 |
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责任者附注:
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史蒂文 H. 沃尔德曼, 作为IBM研发团队的一员已经有25年的历史, 主要致力于半导体器件物理、器件设计和可靠性 (如软失效率、热电子、漏电机制、闩锁、ESD和EOS) 的研究工作。 |
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索书号:
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5 |