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题名:
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先进的高压大功率器件 / (美)B. Jayant Baliga著 , 于坤山[等] 译 |
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ISBN:
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978-7-111-49307-5 价格： CNY99.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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14,442页 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2015 |
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内容提要:
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本书第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT.碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定等。 |
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主题词:
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大功率 功率半导体器件 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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主要责任者:
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巴利加 著 |
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次要责任者:
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于坤山 译 |
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索书号:
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5 |