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中图分类法:
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TN302-532 版次： |
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题名:
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Si front-end processing : [ physics and technology of dopant-defect interactions II : symposium held April 24-27,2000, San Francisco, California, USA /] / , |
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出版发行:
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出版地： Cambridge : 出版社： Cambridge University Press, 出版日期： 2014. |
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载体形态:
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438 p. : ill. ; 24 cm. |
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主题词:
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Semiconductors Design and construction |
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主题词:
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Semiconductor doping |
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主题词:
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Silicon |
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主题词:
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Semiconductors Defects |
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主要责任者:
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Agarwal, Aditya. |
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索书号:
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1 |