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题名:
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纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计 / (美) Sandip Kundu, (印) Aswin Sreedhar著 , 王昱阳, 谢文遨译 |
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ISBN:
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978-7-03-040034-5 价格： CNY58.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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261页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 科学出版社 出版日期： 2014 |
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内容提要:
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本书的内容包括: CMOSVLSI电路设计的技术趋势; 半导体制造技术; 光刻技术; 工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模; 面向可制造性的物理设计技术; 测量、制造缺陷和缺陷提取; 缺陷影响的建模和合格率提高技术; 物理设计和可靠性; DFM工具和DFM方法。 |
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主题词:
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纳米材料 CMOS电路 |
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中图分类法:
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TN432.02 版次： 5 |
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主要责任者:
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孔杜 著 |
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主要责任者:
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斯里达兰 著 |
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次要责任者:
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王昱阳 译 |
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次要责任者:
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谢文遨 译 |
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责任者附注:
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责任者Kundu规范汉译姓: 孔杜; 责任者Sreedhar规范汉译姓: 斯里达兰 |
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责任者附注:
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Sandip Kundu: 马萨诸塞大学阿姆赫斯特分校电气与计算机工程系的教授, 专业从事VLSI设计与测试。Aswin Sreedhar: 马萨诸塞大学阿姆赫斯特分校电气与计算机工程系的研究助理, 他的研究兴趣是面向VLSI系统的可制造性和电路可靠性设计的统计技术。 |
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索书号:
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5 |