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题名:
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模拟CMOS电路设计折中与优化 / (美) David M. Binkley著 , 冯军, 胡庆生等译 |
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ISBN:
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978-7-121-20188-2 价格： CNY79.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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27, 523页 图 26cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 电子工业出版社 出版日期： 2013 |
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内容提要:
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本书从崭新的视角给出模拟CMOS电路设计的折中和优化方法，提出了反型系数的概念，推出采用反型系数、漏极电流和沟道长度作为器件和电路设计的三个选项的设计方法。 |
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主题词:
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CMOS电路 电路设计 |
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中图分类法:
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TN432.02 版次： 5 |
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主要责任者:
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宾克利 著 |
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次要责任者:
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冯军 译 |
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次要责任者:
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胡庆生 译 |
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责任者附注:
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责任者规范汉译姓: 宾克利 |