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题名:
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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件 / 郝跃, 张金风, 张进成著 , |
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ISBN:
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978-7-03-036717-4 价格： CNY86.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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xi, 303页 图 25cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 科学出版社 出版日期： 2013 |
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内容提要:
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本书以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，AlCaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaNHEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。 |
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主题词:
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氮化物 禁带 |
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主题词:
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氮化物 禁带 |
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中图分类法:
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TN304 版次： 5 |
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中图分类法:
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TN103 版次： 5 |
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主要责任者:
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郝跃 著 |
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主要责任者:
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张金风 著 |
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主要责任者:
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张进成 著 |