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题名:
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功率半导体器件基础 / (美)B. Jayant Baliga著 , |
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ISBN:
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978-7-03-034340-6 价格： CNY150.00 |
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语种:
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eng |
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载体形态:
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xvii, 1065页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 科学出版社 出版日期： 2012 |
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内容提要:
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本书讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性,详细介绍了硅基器件,还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。 |
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主题词:
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功率半导体器件 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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主要责任者:
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巴利伽 著 |
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版次:
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影印版 |
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责任者附注:
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责任者Baliga规范汉译姓: 巴利伽 |